MOS管20N50産品特征
1、KIA20N50H N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高功率MOSFET设计的电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源等。有源功率因数校正。
2、RDS(on) =0.21?@VGS=10V
3、低門電荷（典型的70納米）
4、快速切換能力
5、雪崩能量指定
6、改進的dv/dt能力
MOS管20N50産品主要參數
産品型號：KIA20N50H
工作方式：20A/500V
漏源極電壓：500V
柵源電壓:±30V
功能溫度:+150℃
貯存溫度：-55℃至+150℃
MOS管 20N50标准封装及引脚
MOS管20N50應用領域
1、開關電源
2、逆變器
3、掃地機電源
4、吸塵器電源
MOS管 20N50产品附件
以下爲KIA20N50H産品PDF格式的産品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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